Nach DRAM kommt MRAM

Mehr als 20 japanische und amerikanische Chipfirmen haben sich zusammengetan, um ein Produktionsverfahren für den DRAM-Nachfolger "Magnetoresistive Random Access Memory", kurz MRAM, zu entwickeln. Dem Nachrichtenportal Nikkei Asian Review zufolge sollen die neuen Speichermodule vor allem in mobilen Geräten zum Einsatz kommen.

Zu dem Konsortium gehören unter anderem Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi und Micron Technology. Letzterer gilt als weltweit zweitgrösster Hersteller von DRAM-Modulen.

Zehnfache Schreibgeschwindigkeit möglich

Dem Bericht von Nikkei zufolge werden die Firmen mehre Dutzend Forscher an die Tohoku University in Nordjapan schicken. Dort sollen sie im Februar unter der Leitung von Professor Tetsuo Endoh mit der Entwicklung der nötigen Technik für die Massenfertigung von MRAM beginnen. Die Arbeit soll bis 2017 abgeschlossen sein, sodass Micron 2018 mit der Produktion beginnen könne.

Im Gegensatz zu DRAM speichert MRAM die Informationen nicht mit elektrischen Ladungselementen, sondern mit magnetischen. MRAM benötigt deshalb höhere Spannungen um hohe Geschwindigkeiten erzielen zu können. Gemäss Nikkei kann MRAM die zehnfache Kapazität und die zehnfache Schreibgeschwindigkeit von DRAM erreichen.

Auch Hersteller wie Toshiba und Samsung arbeiten an MRAM

Interessanterweise soll der Energieverbrauch im Vergleich zu DRAM trotz allem nur bei etwa einem Drittel des heute verwendeten DRAM liegen. Das würde für den angedachten Einsatz im Mobilbereich nicht nur zur Leistungssteigerung, sondern auch zu längeren Akkulaufzeiten führen. Nikkei zufolge könnte sich die Akkulaufzeit im Standby auf mehrere Hundert Stunden erhöhen.

Die Hersteller des Konsortiums sind allerdings nicht die einzigen, die an der Entwicklung von MRAM-Speicher arbeiten. Toshiba verkündete bereits im letzten Jahr, die Forschung in dem Bereich aufgenommen zu haben. Und auch SK Hynix und Samsung beschäftigen sich mit MRAM.