Mehr Terabyte für Datacenter

Flash-Spezialist Samsung Semiconductor hat nach eigenen Angaben die Massenproduktion seiner neuen NVMe-PCIe-SSD "SM1715" begonnen. Im Sommer dieses Jahres hatte der Hersteller an seinem SSD-Summit in Seoul angekündigt, mehr SSDs für Rechenzentren anzubieten. Bei der Vorstellung der Produkte wurde aber über die DC 845 mit SATA-III-Schnittstelle und einer Kapazität von knapp 1 Terabyte geredet. Nun rührt Samsung mit der grossen Kelle an: 3,2 Terabyte soll die Kapazität der neuen SSD betragen. Es soll sie aber auch als Variante mit 1,6 Terabyte Speichervermögen geben.

Preis noch unbekannt

Auf den Markt dürfte die SSD im ersten Quartal des kommenden Jahres gelangen, wie ein Unternehmenssprecher auf Anfrage mitteilte. Die SM1715 ist ein OEM-Produkt, das direkt an Serverhersteller geliefert wird, wie Thomas Arenz, Associate Director / Head of MI, SBD and Marcom EMEA, der Redaktion bestätigten. Allerdings werde die SSD auch über Spezial-Distributoren vertrieben. In der DACH-Region soll die SSD beispielsweise über Memorysolution, Microtronica und MSC in den Fachhandel gelangen.

Konkrete Preise nannte Samsung noch keine, Arenz teilte aber mit, dass sich Samsung in seinem SSD-Wettbewerbsumfeld preislich am unteren Ende, bei der Leistung und der Lebensdauer hingegen am oberen Ende bewege. "Speziell bei PCIe-NVMe-SSDs wie der SM1715 lässt sich dazu noch sagen, dass wir zwar nicht die ersten Anbieter einer PCIe-Lösung sind, aber sicher unter den allerersten, die diese hochperformanten Speichermedien für Kunden erschwinglich machen", sagte Arenz.

Neue Flash-Technik

Die neue SSD basiert auf Samsungs 3D-VNAND-Flash-Technik. Dabei werden Speicherzellen übereinander gestapelt. Somit lassen sich mehr Zellen auf gleicher Grundfläche unterbringen. Statt SATA-III wird sie über die NVMe-Schnittstelle mit einem Server verbunden.

Die SM1715 erscheint im HHHL-Kartenformat (halbhoch, halblang). Als Leistungskennziffern nennt Samsung eine Lesegeschwindigkeit von 3000 MB/s und eine sequentielle Schreibgeschwindigkeit von 2200 MB/s. Die Random Reads gibt der Hersteller mit 750'000 IOPS an und die Random Writes mit 130'000 IOPS. Samsungs Speicher kann nach eigenen Angaben während fünf Jahren 10x täglich beschrieben werden.