Samsung startet Produktion mobiler DRAMs im 20nm-Verfahren
Samsung hat mit der Massenproduktion sogenannter "6 Gigabit Low-Power Double Data Rate 3"-Speichermodule begonnen. Die DRAM-Chips sollen die Batterielaufzeit von Mobilgeräten verlängern.
Der koreanische Elektronikkonzern Samsung hat die Massenproduktion von DRAM-Modulen für Mobilgeräte im 20-Nanometer-Verfahren gestartet. Gemäss Samungs handelt es sich um die industrieweit ersten "6 Gigbit Low-Power Double Data Rate 3"-DRAM-Module (LPDDR3).
Die Speichermodule seien hocheffizient, sollen Anwendungen schneller laden und die Batterielaufzeit von Mobilgeräten mit grossen Displays verlängern. Ein 3-Gigbyte-Modul, bestehend aus vier 6-Gigabit-LPDDR3-Chips, verbrauche etwa 10 Prozent weniger Energie und sei rund 20 Prozent kleiner als derzeit verfügbare 3-Gigabyte-Module.
Der 20-Nanometer-Fertigungsprozess ist gemäss Samsung im Vergleich zum bisherigen Prozess 30 Prozent effizienter. Die Technologie setzte Samsung erstmals im März für DDR3-Module für PCs ein.
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