Samsung geht mit KI-Speicher in die dritte Dimension
Samsung hat Konzeptmodelle von Speichereinheiten vorgestellt, die nicht neben, sondern auf einem KI-Beschleuniger installiert werden. Dies soll den Datenaustausch beschleunigen und energieeffizienter machen. Zudem soll die Speicherkapazität bis zu achtmal höher sein als diejenige der Vorgängermodelle.
Samsung hat mit zHBM und zNAND-O die ersten Konzeptmodelle für eine dreidimensionale Speicherarchitektur vorgestellt. Dabei handelt es sich um Speichereinheiten, die oberhalb von einem KI-Beschleuniger installiert werden, wie der koreanische Tech-Konzern mitteilt. Die heute gängigen HBM-Einheiten (high bandwidth memory) sitzen hingegen neben dem KI-Beschleuniger.
Nun will Samsung die Speichereinheiten aufeinanderstapeln, was laut Mitteilung die Speicherkapazität, Bandbreite und Energieeffizienz erhöhen soll. So sei von zHBM etwa die achtfache Leistung sowie die zehnfache Speicherdichte des Vorgängermodells HBM5 zu erwarten.
Abgesehen davon präsentierte Samsung gemäss Mitteilung auch zNAND-O, eine Speicherarchitektur basierend auf der V-NAND-Technologie. Sie werde in Ausführungen mit vier und acht Schichten entwickelt, die ebenfalls vertikal gestapelt würden. Das System sei für datenintensive KI-Anwendungen konzipiert und biete eine hohe Raumausnutzung und I/O-Leistung sowie eine tiefe Latenz.
Infolge des KI-Booms besteht aktuell eine riesige Nachfrage nach Speicher-Chips. Dies bringt Halbleiter-Hersteller an ihre Grenzen, wie Sie hier lesen können.
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