Intel und Micron: 20-Nanometer-Herstellungsprozess für Flash-Speicher
Intel und Micron Technology haben erste Prototypen von in einem 20-Nanometer-Herstellungsprozess gefertigte NAND-Flash-Speicher angekündigt.
Intel und Micron Technology bringen basierend auf dem neuen 20nm-Herstellungsprozess acht Gigabyte grosse NAND-Flash-Speicher auf den Markt. Diese eignen sich laut Medienmitteilung aufgrund der hohen Kapazität und geringen Grösse für den Einsatz in Smartphones, Tablets oder SSDs.
Der neue Herstellungsprozess stelle im Vergleich zum aktuellen 25nm-Verfahren rund 50 Prozent mehr an Speicherkapazität in GB zur Verfügung.
Erste Prototypen sind gemäss den Unternehmen bereits in Produktion. Die Serienfertigung soll im zweiten Halbjahr 2011 beginnen. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste NAND-Flash-Speicher mit 16 GB präsentieren, die auf der Fläche einer Briefmarke insgesamt bis zu 128 GB Speicherkapazität bieten und in eine Single-Solid-State-Speicherlösung integriert werden sollen.
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